DMN2005DLP4K-7
DMN2005DLP4K-7
Número de pieza:
DMN2005DLP4K-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15499 Pieces
Ficha de datos:
DMN2005DLP4K-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 100µA
Paquete del dispositivo:X2-DFN1310-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Potencia - Max:400mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, No Lead
Otros nombres:DMN2005DLP4K7
DMN2005DLP4KDITR
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN2005DLP4K-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 400mW Surface Mount X2-DFN1310-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300mA
Email:[email protected]

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