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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > CSD75301W1015
CSD75301W1015
Número de pieza:
CSD75301W1015
Fabricante:
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19674 Pieces
Ficha de datos:
CSD75301W1015.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-DSBGA (1x1.5)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 1A, 4.5V
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UFBGA, DSBGA
Otros nombres:296-24261-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CSD75301W1015
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:195pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.2A
Email:[email protected]

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