Comprar CSD23280F3 con BYCHPS
Compre con garantía
CSD23280F3
- Número de pieza:
- CSD23280F3
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17514 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD23280F3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD23280F3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD23280F3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 0.95V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 3-PICOSTAR |
| Serie: | FemtoFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 116 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-XFDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD23280F3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 234pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.23nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 12V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CSD23280F3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
CSD23280F3T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | Investigación |
|
CSD23203W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | Investigación |
|
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | Investigación |
|
CSD23202W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Investigación |
|
CSD23381F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | Investigación |
|
CSD23201W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Investigación |
|
CSD23381F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | Investigación |
|
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | Investigación |
|
CSD23382F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR | Investigación |
|
CSD23203WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | Investigación |
|
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers