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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD18537NQ5AT
CSD18537NQ5AT
Número de pieza:
CSD18537NQ5AT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12996 Pieces
Ficha de datos:
CSD18537NQ5AT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:13 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 75W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-37747-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD18537NQ5AT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1480pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 50A (Ta) 3.2W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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