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CSD18536KTTT
- Número de pieza:
- CSD18536KTTT
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12715 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD18536KTTT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD18536KTTT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD18536KTTT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 375W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Otros nombres: | 296-44122-2 CSD18536KTTT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD18536KTTT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11430pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 200A (Ta), 279A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta), 279A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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