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CSD17581Q3A
- Número de pieza:
- CSD17581Q3A
- Fabricante:
- Descripción:
- 30V N CH MOSFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15939 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD17581Q3A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD17581Q3A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD17581Q3A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.7V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-VSONP (3x3.15) |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 16A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.8W (Ta), 63W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD17581Q3A |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3640pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 21A (Ta) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | 30V N CH MOSFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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