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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD17570Q5B
CSD17570Q5B
Número de pieza:
CSD17570Q5B
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12802 Pieces
Ficha de datos:
CSD17570Q5B.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.9V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:0.69 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-39993-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD17570Q5B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:121nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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