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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD17309Q3
CSD17309Q3
Número de pieza:
CSD17309Q3
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / No es aplicable
Cantidad disponible:
18316 Pieces
Ficha de datos:
CSD17309Q3.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.4 mOhm @ 18A, 8V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-27250-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD17309Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1440pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 20A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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