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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD16401Q5
CSD16401Q5
Número de pieza:
CSD16401Q5
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12047 Pieces
Ficha de datos:
CSD16401Q5.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.9V @ 250µA
Vgs (Max):+16V, -12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.6 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-24525-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD16401Q5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 12.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 38A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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