Comprar CSD16321Q5C con BYCHPS
Compre con garantía
CSD16321Q5C
- Número de pieza:
- CSD16321Q5C
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19618 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD16321Q5C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD16321Q5C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD16321Q5C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +10V, -8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 25A, 8V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | 296-25643-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD16321Q5C |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 12.5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 19nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 31A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 3V, 8V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CSD16321Q5C
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | Investigación |
|
CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 6-SON | Investigación |
|
CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON | Investigación |
|
CSD16322Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON | Investigación |
|
CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | Investigación |
|
CSD16325Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON | Investigación |
|
CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | Investigación |
|
CSD16340Q3T | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Investigación |
|
CSD16322Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 97A 8SON | Investigación |
|
CSD16325Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON | Investigación |
|
CSD16327Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog