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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD13201W10
CSD13201W10
Número de pieza:
CSD13201W10
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13098 Pieces
Ficha de datos:
CSD13201W10.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DSBGA (1x1)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:34 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-UFBGA, DSBGA
Otros nombres:296-41412-2
CSD13201W10-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD13201W10
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:462pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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