CMF10120D
CMF10120D
Número de pieza:
CMF10120D
Fabricante:
Cree
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19486 Pieces
Ficha de datos:
CMF10120D.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 500µA
Vgs (Max):+25V, -5V
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:Z-FET™
RDS (Max) @Id, Vgs:220 mOhm @ 10A, 20V
La disipación de energía (máximo):134W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 135°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CMF10120D
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:928pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:47.1nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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