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C3M0065100K
- Número de pieza:
- C3M0065100K
- Fabricante:
- Cree
- Descripción:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13511 Pieces
- Ficha de datos:
- C3M0065100K.pdf
Introducción
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Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| La disipación de energía (máximo): | 113.5W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-4 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Número de pieza del fabricante: | C3M0065100K |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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