BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005
Número de pieza:
BSM120D12P2C005
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16144 Pieces
Ficha de datos:
1.BSM120D12P2C005.pdf2.BSM120D12P2C005.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.7V @ 22mA
Paquete del dispositivo:Module
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
Potencia - Max:780W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Module
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSM120D12P2C005
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A
Email:[email protected]

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