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BSM120D12P2C005
- Número de pieza:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16144 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.BSM120D12P2C005.pdf2.BSM120D12P2C005.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSM120D12P2C005, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSM120D12P2C005 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.7V @ 22mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| Potencia - Max: | 780W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Module |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSM120D12P2C005 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A |
| Email: | [email protected] |
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