BDW83B
Número de pieza:
BDW83B
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12008 Pieces
Ficha de datos:
BDW83B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:-
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TO-218
Serie:-
Potencia - Max:130W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-218-3
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BDW83B
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
Descripción:POWER TRANSISTOR NPN TO218
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 6A, 3V
Corriente - corte del colector (Max):-
Corriente - colector (Ic) (Max):15A
Email:[email protected]

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