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BAW56T116
- Número de pieza:
- BAW56T116
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13276 Pieces
- Ficha de datos:
- BAW56T116.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BAW56T116, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BAW56T116 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 70V |
| Paquete del dispositivo: | SSD3 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BAW56T116TR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BAW56T116 |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 70V 215mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Anode |
| Descripción: | DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1µA @ 75V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 215mA |
| Email: | [email protected] |
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