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B1S-G
- Número de pieza:
- B1S-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descripción:
- DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15529 Pieces
- Ficha de datos:
- B1S-G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para B1S-G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para B1S-G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 100V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 800mA |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | MBS |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-269AA, 4-BESOP |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | B1S-G |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 100V 800mA Surface Mount MBS |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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