APTSM120AM25CT3AG
Número de pieza:
APTSM120AM25CT3AG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
POWER MODULE - SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18244 Pieces
Ficha de datos:
APTSM120AM25CT3AG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 4mA
Paquete del dispositivo:SP3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 80A, 20V
Potencia - Max:937W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP3
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTSM120AM25CT3AG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10200pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:544nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET:Silicon Carbide (SiC)
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 148A (Tc) 937W Chassis Mount SP3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:POWER MODULE - SIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:148A (Tc)
Email:[email protected]

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