APTM120UM70DAG
Número de pieza:
APTM120UM70DAG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17392 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM120UM70DAG.pdf2.APTM120UM70DAG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 30mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 85.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):5000W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTM120UM70DAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:43500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1650nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 171A 5000W (Tc) Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:171A
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