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APTM120H140FT1G
- Número de pieza:
- APTM120H140FT1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19313 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.APTM120H140FT1G.pdf2.APTM120H140FT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM120H140FT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM120H140FT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.68 Ohm @ 7A, 10V |
| Potencia - Max: | 208W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTM120H140FT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3812pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
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