Comprar APTM100DA40T1G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | SP1 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 480 mOhm @ 16A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 357W (Tc) |
embalaje: | Bulk |
Paquete / Cubierta: | SP1 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Chassis Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | APTM100DA40T1G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 20A 357W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
Email: | [email protected] |