APTGT75DA120T1G
Número de pieza:
APTGT75DA120T1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 1200V 110A 357W SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14752 Pieces
Ficha de datos:
1.APTGT75DA120T1G.pdf2.APTGT75DA120T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:-
Potencia - Max:357W
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC:Yes
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTGT75DA120T1G
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:5.34nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descripción ampliada:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
Descripción:IGBT 1200V 110A 357W SP1
Corriente - corte del colector (Max):250µA
Corriente - colector (Ic) (Max):110A
Configuración:Single
Email:[email protected]

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