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APTDF30H1201G
- Número de pieza:
- APTDF30H1201G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12948 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.APTDF30H1201G.pdf2.APTDF30H1201G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTDF30H1201G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTDF30H1201G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 1200V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3.1V @ 30A |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTDF30H1201G |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 1200V 43A Chassis Mount SP1 |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 43A |
| Email: | [email protected] |
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