APT8018JN
Número de pieza:
APT8018JN
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13599 Pieces
Ficha de datos:
APT8018JN.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS IV®
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):690W (Tc)
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT8018JN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:700nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 40A (Tc) 690W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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