APT7F100B
APT7F100B
Número de pieza:
APT7F100B
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14205 Pieces
Ficha de datos:
1.APT7F100B.pdf2.APT7F100B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 500µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 [B]
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):290W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT7F100B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 7A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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