APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
Número de pieza:
APT75GP120B2G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16181 Pieces
Ficha de datos:
1.APT75GP120B2G.pdf2.APT75GP120B2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 75A
Condición de prueba:600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:20ns/163ns
Cambio de Energía:1620µJ (on), 2500µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potencia - Max:1042W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Otros nombres:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT75GP120B2G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
puerta de carga:320nC
Descripción ampliada:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Descripción:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Corriente - Colector Pulsada (ICM):300A
Corriente - colector (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

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