APT70SM70J
Número de pieza:
APT70SM70J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
POWER MOSFET - SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14095 Pieces
Ficha de datos:
APT70SM70J.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:SOT-227
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 32.5A, 20V
La disipación de energía (máximo):165W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT70SM70J
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:125nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 700V 49A (Tc) 165W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción:POWER MOSFET - SIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:49A (Tc)
Email:[email protected]

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