Comprar APT70GR120L con BYCHPS
Compre con garantía
APT70GR120L
- Número de pieza:
- APT70GR120L
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- IGBT 1200V 160A 961W TO264
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14506 Pieces
- Ficha de datos:
- APT70GR120L.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APT70GR120L, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APT70GR120L por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.2V @ 15V, 70A |
| Condición de prueba: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| Cambio de Energía: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | TO-264 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 961W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-264-3, TO-264AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APT70GR120L |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | NPT |
| puerta de carga: | 544nC |
| Descripción ampliada: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 |
| Descripción: | IGBT 1200V 160A 961W TO264 |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 280A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 160A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de APT70GR120L
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
RJH1CF6RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 55A 227.2W TO247 | Investigación |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Investigación |
 |
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Investigación |
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Investigación |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Investigación |
|
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Investigación |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Investigación |
|
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Investigación |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Investigación |
 |
SGP06N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO220-3 | Investigación |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog