APT38F80L
APT38F80L
Número de pieza:
APT38F80L
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12102 Pieces
Ficha de datos:
APT38F80L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264 [L]
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1040W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT38F80L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8070pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:41A (Tc)
Email:[email protected]

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