APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
Número de pieza:
APT33GF120B2RDQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12397 Pieces
Ficha de datos:
1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 25A
Condición de prueba:800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:14ns/185ns
Cambio de Energía:1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Serie:-
Potencia - Max:357W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Otros nombres:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT33GF120B2RDQ2G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
puerta de carga:170nC
Descripción ampliada:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
Descripción:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Corriente - Colector Pulsada (ICM):75A
Corriente - colector (Ic) (Max):64A
Email:[email protected]

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