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APT25GP90BDQ1G
- Número de pieza:
- APT25GP90BDQ1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- IGBT 900V 72A 417W TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14909 Pieces
- Ficha de datos:
- APT25GP90BDQ1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APT25GP90BDQ1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APT25GP90BDQ1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 900V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.9V @ 15V, 25A |
| Condición de prueba: | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 13ns/55ns |
| Cambio de Energía: | 370µJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Potencia - Max: | 417W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | APT25GP90BDQ1GMI APT25GP90BDQ1GMI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | APT25GP90BDQ1G |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | PT |
| puerta de carga: | 110nC |
| Descripción ampliada: | IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] |
| Descripción: | IGBT 900V 72A 417W TO247 |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 110A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 72A |
| Email: | [email protected] |
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