APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G
Número de pieza:
APT25GP120BDQ1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18111 Pieces
Ficha de datos:
1.APT25GP120BDQ1G.pdf2.APT25GP120BDQ1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 25A
Condición de prueba:600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:12ns/70ns
Cambio de Energía:500µJ (on), 440µJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS 7®
Potencia - Max:417W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT25GP120BDQ1G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
puerta de carga:110nC
Descripción ampliada:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Descripción:IGBT 1200V 69A 417W TO247
Corriente - Colector Pulsada (ICM):90A
Corriente - colector (Ic) (Max):69A
Email:[email protected]

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