APT1201R4BFLLG
APT1201R4BFLLG
Número de pieza:
APT1201R4BFLLG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18627 Pieces
Ficha de datos:
1.APT1201R4BFLLG.pdf2.APT1201R4BFLLG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT1201R4BFLLG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2030pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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