Comprar APT1201R4BFLLG con BYCHPS
Compre con garantía
APT1201R4BFLLG
- Número de pieza:
- APT1201R4BFLLG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18627 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.APT1201R4BFLLG.pdf2.APT1201R4BFLLG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APT1201R4BFLLG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APT1201R4BFLLG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APT1201R4BFLLG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2030pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1200V (1.2kV) 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de APT1201R4BFLLG
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1204R7KFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Investigación |
 |
APT12067JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 | Investigación |
 |
APT12M80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 | Investigación |
 |
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Investigación |
|
APT12057JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | Investigación |
|
APT12067B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Investigación |
|
APT12080JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1.2KV 15A ISOTOP | Investigación |
|
APT12031JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Investigación |
|
APT12057B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Investigación |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Investigación |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Investigación |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog