AOWF7S60
AOWF7S60
Número de pieza:
AOWF7S60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19605 Pieces
Ficha de datos:
1.AOWF7S60.pdf2.AOWF7S60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOWF7S60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:372pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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