AOWF2606
AOWF2606
Número de pieza:
AOWF2606
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17980 Pieces
Ficha de datos:
1.AOWF2606.pdf2.AOWF2606.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:785-1448-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AOWF2606
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4050pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 13A (Ta), 51A (Tc) 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Through Hole TO-262F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 51A (Tc)
Email:[email protected]

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