AOW298
AOW298
Número de pieza:
AOW298
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 9A TO262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17255 Pieces
Ficha de datos:
1.AOW298.pdf2.AOW298.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:14.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 100W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:785-1379-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AOW298
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 9A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 9A TO262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

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