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AOV11S60
- Número de pieza:
- AOV11S60
- Fabricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14583 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.AOV11S60.pdf2.AOV11S60.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para AOV11S60, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para AOV11S60 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | aMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 785-1683-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | AOV11S60 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 545pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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