AOTF7S65
AOTF7S65
Número de pieza:
AOTF7S65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18820 Pieces
Ficha de datos:
1.AOTF7S65.pdf2.AOTF7S65.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3F
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:650 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOTF7S65
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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