AOT29S50L
Número de pieza:
AOT29S50L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 29A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16893 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT29S50L.pdf2.AOT29S50L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):357W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:785-1440-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT29S50L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1312pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 29A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 29A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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