6A10B-G
6A10B-G
Número de pieza:
6A10B-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13018 Pieces
Ficha de datos:
6A10B-G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:R-6
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:R6, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:6A10B-G
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 6A Through Hole R-6
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):6A
Capacitancia Vr, F:100pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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