1N5811US
1N5811US
Número de pieza:
1N5811US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16208 Pieces
Ficha de datos:
1N5811US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:875mV @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):150V
Paquete del dispositivo:B, SQ-MELF
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, B
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N5811US
Descripción ampliada:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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