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1N5807US
- Número de pieza:
- 1N5807US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16951 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N5807US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N5807US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N5807US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | B, SQ-MELF |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 30ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, B |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N5807US |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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