1N5621US
Número de pieza:
1N5621US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12921 Pieces
Ficha de datos:
1N5621US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.6V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):800V
Paquete del dispositivo:D-5A
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):300ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, A
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N5621US
Descripción ampliada:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Corriente - Fuga inversa a Vr:500nA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:20pF @ 12V, 1MHz
Email:[email protected]

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