1N4150-1
1N4150-1
Número de pieza:
1N4150-1
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19692 Pieces
Ficha de datos:
1N4150-1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):50V
Paquete del dispositivo:DO-35
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N4150-1
Descripción ampliada:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):200mA
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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