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VQ1001P-E3
- Número de pieza:
- VQ1001P-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19668 Pieces
- Ficha de datos:
- VQ1001P-E3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VQ1001P-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VQ1001P-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 14-DIP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VQ1001P-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 4 N-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
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