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VP0808B-E3
- Número de pieza:
- VP0808B-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17527 Pieces
- Ficha de datos:
- VP0808B-E3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VP0808B-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VP0808B-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-39 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 6.25W (Ta) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VP0808B-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 880mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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