US6K1TR
US6K1TR
Número de pieza:
US6K1TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15916 Pieces
Ficha de datos:
US6K1TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TUMT6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:US6K1TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A
Email:[email protected]

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