US1GHE3_A/I
US1GHE3_A/I
Número de pieza:
US1GHE3_A/I
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17905 Pieces
Ficha de datos:
1.US1GHE3_A/I.pdf2.US1GHE3_A/I.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):400V
Paquete del dispositivo:DO-214AC (SMA)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr):50ns
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:DO-214AC, SMA
Otros nombres:US1GHE3_A/IGIDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:27 Weeks
Número de pieza del fabricante:US1GHE3_A/I
Descripción ampliada:Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 400V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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