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TPD3215M
- Número de pieza:
- TPD3215M
- Fabricante:
- Transphorm
- Descripción:
- CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16332 Pieces
- Ficha de datos:
- TPD3215M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPD3215M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPD3215M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Potencia - Max: | 470W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Module |
| Otros nombres: | TPH3215M TPH3215M-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TPD3215M |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
| Tipo FET: | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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