TPCC8009,LQ(O
Número de pieza:
TPCC8009,LQ(O
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16327 Pieces
Ficha de datos:
TPCC8009,LQ(O.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 200µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPCC8009,LQ(O
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1270pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta)
Email:[email protected]

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